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KPD30S

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Kyosemi, Photodevices for Sensors: fotodiodo di silicio.

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    KPD30S

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    Kyosemi, Photodevices for Sensors: fotodiodo di silicio.

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    • Tipologia: Silicon Photodiodes
    • Half Angle (deg): 120
    • Package: Surface mount
    • Sensitive Area (mm): 2.59 x 2.59
    • Peak sens. wavelenght (nm): 950
    • Short circuit current (µA): 68
    • Short circuit current (lx): 1000

    Kyosemi, Photodevices for Sensors: fotodiodo di silicio.

    Caratteristiche:

    • Mold epossidico trasparente
    • Alta sensibilità

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