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KPD30S

KPD30S

Kyosemi, Photodevices for Sensors: fotodiodo di silicio.

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KPD30S

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    KPD30S

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    Kyosemi, Photodevices for Sensors: fotodiodo di silicio.

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    • Package Surface mount
    • Half Angle (deg) 120
    • Sensitive Area (mm) 2.59 x 2.59
    • Peak sens. wavelenght (nm) 950
    • Short circuit current (µA) 68
    • Short circuit current (lx) 1000
    • Tipologia Silicon Photodiodes

    Kyosemi, Photodevices for Sensors: fotodiodo di silicio.

    Caratteristiche:

    • Mold epossidico trasparente
    • Alta sensibilità

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